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Falcon III XO 法蘭安裝型高速X射線相機

發(fā)布時間:2022-11-19 09:15:35

英國Raptor Photonics公司的Eagle XO法蘭安裝型高速X射線相機采用CF152(6”)法蘭設計,可以與真空室直接連接。相機采用Teledyne e2v公司的背照式CCD芯片,可實現對真空紫外VUV、軟X射線的直接探測,探測能量范圍覆蓋12eV到20keV。提供不同分辨率相機可選,方便用戶選擇在特殊環(huán)境下進行科研和系統(tǒng)的集成

英國Raptor Photonics公司的Eagle XO法蘭安裝型高速X射線相機采用CF152(6”)法蘭設計,可以與真空室直接連接。相機采用Teledyne e2v公司的背照式CCD芯片,可實現對真空紫外VUV、軟X射線的直接探測,探測能量范圍覆蓋12eV到20keV。提供不同分辨率相機可選,方便用戶選擇在特殊環(huán)境下進行科研和系統(tǒng)的集成

主要特性

  • CF152(6”)法蘭設計,可直接與真空室連接

  • 來自Teledyne e2v的背照式CCD芯片

  • 可直接探測能量范圍12eV-20keV

  • 制冷溫度-80℃,暗電流<0.0005e - /p/s

  • 讀出噪聲<2.3e -

  • Camera Link接口,易于系統(tǒng)集成和開發(fā)

典型應用

?x射線成像 ?x射線顯微鏡 ?薄膜和納米纖維 ?x射線等離子體診斷 ?全息和光刻

>>X-ray衍射(XRD)

X射線成像及熒光成像(XRF)、X射線衍射成像(XRD)、X射線顯微鏡、共振非彈性X射線散射(RIXS)、VUV/EUV/XUV光譜、薄膜及納米纖維、材料組成及結構、X射線等離子體診斷、全息照相及光刻

>>EUV紫外光刻半導體工業(yè)使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源,其特征尺寸小于100nm,但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制,該行業(yè)在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術,以生 產小于100nm的特性。半導體工業(yè)研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰(zhàn),但它經常被使用,因為它保留了上述光刻技術 (波長13.5nm)的外觀和感覺,以及使用了相同的基本設計工具。 因此,直接探測X-ray相機為光刻系統(tǒng)工作中提供了好的診斷 和監(jiān)控手段。

>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀,采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機,可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。



Eagle XO – Open Front X-Ray

Open Front High Energy CCDs with a range of custom options

Introducing a high energy direct X-Ray Open Front version one of the most sensitive CCD cameras in the World. The Eagle XO is available in a range of options including sensor resolution, sensor type, cooling and flange options. This freedom of choice offers cameras to meet your exact needs.

The EAGLE XO camera features:

·       Open front end – CF152 (6”) flange for direct interfacing to vacuum chambers

·       Deep cooled using Thermoelectric cooler (TEC) – Minimize dark current and enable long exposure

·       Choice of resolutions and pixel sizes – Optimizes sensitivity and large field of view imaging

·       Choice of sensor types – Enables ultra sharp image resolution and high dynamic range


產品參數:

型號

EA4240XO-BN-CL

芯片類型

CCD

有效像素

2048 x 2048

像素尺寸

13.5μm × 13.5μm

有效面積

27.6mm × 27.6mm

像元合并

Programmable, up to 64×64 pixels

滿阱

>80ke- (100Ke- typical)

移位寄存器阱深

150ke-

非線性

小于百分之一

讀出噪聲(RMS)

<3.5e- @ 75kHz (2.3e-typical) <12e- @ 2MHz (9.0e-typical)

binned讀出噪聲

16×16 binning: < 5.0e- @75kHz pixel readout rate

峰值量子效率

> 90

光譜響應范圍

12eV to 20keV

制冷方式

-80°C with 10°C coolant / -70°C air cooled with 25°C ambient

法蘭

CF152 (6”)

同步方式

Trigger IN and OUT - TTL compatible

數據輸出格式

16 bit base Camera Link

供電方式

12V DC ±0.1

總功耗

<67W (TEC ON, Steady State)

工作溫度

-20°C to +55°C

存儲溫度

-40°C to +70°C

外形尺寸

155.08mm x 140.89mm x 110.00mm

重量

3.5kg


典型應用

?x射線成像 ?x射線顯微鏡 ?薄膜和納米纖維 ?x射線等離子體診斷 ?全息和光刻

>>X-ray衍射(XRD)

X-ray衍射是一種研究物質特性的技術,如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時,它們與原子中的電子相互作用,并分散開 來。如果原子是在平面上組織的(即物質是結晶的),并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同,則會發(fā)生構造性和破壞性的干涉, 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類,可以使用單色X-ray、粉 紅束(窄帶)X-ray或白束(寬帶)X-ray。

圖片關鍵詞

>>EUV紫外光刻

半導體工業(yè)使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源,其特征尺寸小于100nm,但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制,該行業(yè)在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術,以生 產小于100nm的特性。半導體工業(yè)研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰(zhàn),但它經常被使用,因為它保留了上述光刻技術 (波長13.5nm)的外觀和感覺,以及使用了相同的基本設計工具。 因此,直接探測X-ray相機為光刻系統(tǒng)工作中提供了好的診斷 和監(jiān)控手段。

圖片關鍵詞

>>XUV、軟X射線及EUV光譜

美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀,采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機,可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。

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Typical Uses:

·       X-ray imaging

·       X-ray microscopy

·       Thin films and nanofibers

·       X-ray plasma diagnostics

·       Holography and lithography




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